poda ya silicon
Maelezo ya bidhaa
Muundo wa kemikali ya poda ya silicon ya carbide inaundwa hasa na vipengele viwili, Si na C, ambayo uwiano wa Si na C ni 1: 1.Kwa kuongeza, carbudi ya silicon inaweza kuwa na kiasi kidogo cha vipengele vingine, kama vile Al, B, P, nk, maudhui ya vipengele hivi yatakuwa na athari fulani katika utendaji wa carbudi ya silicon.Poda ya kaboni ya silicon ina anuwai ya matumizi katika nyanja nyingi, kama vile umeme, nguvu, anga, gari na kadhalika.Katika uwanja wa umeme, poda ya kaboni ya silicon inaweza kutumika kutengeneza vifaa vya semiconductor, vipengele vya elektroniki, nk. Katika uwanja wa nguvu, poda ya silicon ya carbudi inaweza kutumika kutengeneza vifaa vya nguvu vya juu-voltage, transfoma, nk Katika uwanja wa anga. , poda ya kaboni ya silicon inaweza kutumika kutengeneza vifaa vya miundo ya joto la juu, vifaa vya avionics, nk. Katika uwanja wa magari, poda ya silicon ya carbudi inaweza kutumika kutengeneza sehemu za magari, injini na kadhalika.
Vipimo
| uainishaji wa silicon carbide sic poda kwa isiyo na brashi | ||||
| Aina | Marejeleo ya muundo wa kemikali (%) | Ukubwa(mm) | ||
| SiC | FC | Fe2O3 | ||
| TN98 | ≥98.00 | <1.00 | <0.50 | 50~0 |
| TN97 | ≥97.00 | <1.50 | <0.80 | 13~0 |
| TN95 | ≥95.00 | <2.50 | <1.00 | 10~0 |
| TN90 | ≥90.00 | <3.00 | <2.50 | 5~0 |
| TN88 | ≥88.00 | <3.50 | <3.00 | 0.5~0 |
| TN85 | ≥85.00 | <5.00 | <3.50 | 100F |
| TN60 | ≥60.00 | <12.00 | <3.50 | 200F |
| TN50 | ≥50.00 | <15.00 | <3.50 | 325F |
Maombi
Mfumo wa udhibiti wa ubora
Huarui ina mfumo madhubuti wa usimamizi wa ubora.Tunajaribu bidhaa zetu kwanza baada ya kumaliza uzalishaji wetu, na tunajaribu tena kabla ya kila utoaji, hata sampuli.Na ikiwa unahitaji, tungependa kukubali wahusika wengine kufanya majaribio.Bila shaka ukipenda, tunaweza kukupa sampuli ili uijaribu.
Ubora wa bidhaa zetu umehakikishwa na Taasisi ya Sichuan Metallurgiska na Taasisi ya Utafiti wa Metali ya Guangzhou.Ushirikiano wa muda mrefu nao unaweza kuokoa muda mwingi wa majaribio kwa wateja.
